Herkunftsort:
Vorlage
Markenname:
Intel/Altera
Modellnummer:
EP4CE30F29C8N
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| Produkt-technische Spezifikationen | |
| EU RoHS | Konform |
| ECCN (US) | 3A991d. |
| Teil-Status | Aktiv |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| Automobil | Nein |
| PPAP | Nein |
| Familienname | Wirbelsturm 庐 IV E |
| Verfahrenstechnik | 60nm |
| Benutzer I/Os | 532 |
| Zahl von Input-/Outputbanken | 8 |
| Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,2 |
| Schaltelemente | 28848 |
| Zahl von Multiplikatoren | 66 (18x18) |
| Programm-Gedächtnis-Art | SRAM |
| Eingebettetes Gedächtnis (Kbit) | 594 |
| Gesamtzahl des Blockes RAM | 66 |
| IP-Kern | Unter-Rahmen Latenz JPEG-Kodierer 2000 (BA130)|RapidIO zum AXI-Brücken-Prüfer (RAB)|EtherCAT|EtherNET/IP|DS1/E1 TDM über Paket IP-Kern |
| Anbieter-Name | Barco-Silex/Automatisierung Mobiveil, Inc /Beckhoff GmbH-/Softing AG/Aimvalley |
| Gerät-Logik-Einheiten | 28848 |
| Zahl von globalen Uhren | 20 |
| Gerätenummer von DLLs/PLLs | 4 |
| Engagiertes DSP | 66 |
| PCIe | 1 |
| Programmierbarkeit | Ja |
| Reprogrammability-Unterstützung | Nein |
| Kopierschutz | Nein |
| In-System-Programmierbarkeit | Nein |
| Geschwindigkeits-Grad | 8 |
| Differenziale Input-/Outputstandards | B-LVDS|HSTL|LVPECL|LVDS|RSDS|SSTL |
| Unsymmetrische Input-/Outputstandards | LVTTL|LVCMOS|PCI|PCI-X|SSTL|HSTL |
| Externe Gedächtnis-Schnittstelle | DDR SDRAM|DDR2 SDRAM|QDRII+SRAM |
| Minimale Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,16 |
| Maximale Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,24 |
| Input-/Outputspannung (V) | 1,2|1,5|1,8|2,5|3|3,3 |
| Minimale Betriebstemperatur (°C) | 0 |
| Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 85 |
| Lieferanten-Temperatur-Grad | Werbung |
| Handelsbezeichnung | Wirbelsturm |
| Montage | Oberflächenberg |
| Paket-Höhe | 1,75 |
| Paket-Breite | 29 |
| Paket-Länge | 29 |
| PWB änderte | 780 |
| Standardpaket-Name | BGA |
| Lieferanten-Paket | FBGA |
| Pin Count | 780 |
| Führungs-Form | Ball |
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