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IPD320N20N3G Ic Integrierter Schaltkreis TO-252

IPD320N20N3G Ic Integrierter Schaltkreis TO-252

IPD320N20N3G Ic integrierte Schaltung

TO-252 IC integrierte Schaltung

IPD320N20N3G Integrierter Schaltkreis Ic Chip

Herkunftsort:

Vorlage

Markenname:

INFINEON

Modellnummer:

IPD320N20N3G

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IPD320N20N3G Ic Integrierter Schaltkreis TO-252
IPD320N20N3G Ic Integrierter Schaltkreis TO-252 IPD320N20N3G Ic Integrierter Schaltkreis TO-252
Produkt-Details
Qualität::
Nagelneues unbenutztes
Paket/Kasten::
TO-252
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Min Bestellmenge
1PCS
Preis
Negotiate
Verpackung Informationen
4000
Lieferzeit
3
Auf Lager
8000+
Zahlungsbedingungen
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit
97830pcs
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Beschreibung des Produkts

ISO9001 (PDF)

Anwendungsbereich: IPD320N20N3G ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor, der für hocheffiziente Gleichspannungswandler und Wechselrichter verwendet wird.mit einem hohen Schaltgeschwindigkeits und einem niedrigen Leitungseinsatz.
Schlussfolgerung: IPD320N20N3G weist die Eigenschaften hoher Effizienz, hoher Spannung und geringen Leitwiderstand auf und eignet sich somit für Hochleistungs-Gleichstrom-Wandler und -Wechselrichter.Es kann die Energieeffizienz des Systems verbessern, verringern den Stromverlust und haben eine längere Lebensdauer.
Parameter:
Vds (max) = 200V (maximale Widerstandsspannung)
Id=320A (maximaler Abflussstrom)
Rds (an) = 3,3m Ω (Leitwiderstand)
Qg=230nC (Gatterladung)
Vgs (th) = 4V (Gatterschwellenspannung)
Ciss=12300pF (Eingangskapazität)
Coss=1170pF (Ausgangskapazität)
Crss=570pF (umgekehrte Übertragungskapazität)

Technische Spezifikationen des Produkts
EU-RoHS Erfüllung der Ausnahmeregelung
ECCN (USA) EAR99
Status des Teils Nicht bestätigt
SVHC - Ja, das ist es.
SVHC überschreitet Schwellenwert - Ja, das ist es.
Automobilindustrie - Nein.
PPAP - Nein.
Produktkategorie Leistungs-MOSFET
Ausstattung Einzigartig
Prozesstechnik OptiMOS 3
Kanalmodus Erweiterung
Kanaltyp N
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höchstspannung der Entwässerungsquelle (V) 200
Höchstspannung der Torquelle (V) ¥20
Höchstspannung der Torschwelle (V) 4
Betriebstemperatur des Knotenpunkts ( capturC) - 55 bis 175
Höchstkontinuierlicher Abflussstrom (A) 34
Höchstdurchlässigkeit der Torquelle (nA) 100
Maximale IDSS (uA) 1
Maximaler Abflusswiderstand (MOhm) 32@10V
Typische Torladung @ Vgs (nC) 22@10V
Typische Torladung @ 10V (nC) 22
Typische Abflussbelastung (nC) 3
Typische Gate-to-Source-Ladung (nC) 8
Typische Rückgewinnungsgebühr (nC) 500
Typische Schalterladung (nC) 5
Typische Eingangskapazität @ Vds (pF) 1770@100V
Typische Umkehrübertragungskapazität @ Vds (pF) 4 @ 100 V
Mindestschwellenspannung (V) 2
Typische Ausgangskapazität (pF) 135
Maximale Leistungsauflösung (mW) 136000
Typische Fallzeit (ns) 4
Typische Aufstiegszeit (ns) 9
Typische Verzögerungszeit (ns) beim Ausschalten 21
Typische Anschaltverzögerungszeit (ns) 11
Mindestbetriebstemperatur ( capturC) - 55
Höchstbetriebstemperatur ( capturC) 175
Verpackung Band und Rolle
Maximaler pulsierter Abflussstrom @ TC=25 capturC (A) 136
Maximale Umgebungstemperaturwiderstand an der Kreuzung auf PCB ( capturedC/W) 50
Typische Vorwärtsspannung der Diode (V) 0.9
Typische Torplateau-Spannung (V) 4.4
Typische Umkehrwiederherstellungszeit (ns) 110
Höchstspannung der Vorwärtsdiode (V) 1.2
Typische Torschwelle (V) 3
Höchstspannung der positiven Torquelle (V) 20
Montierung Oberflächenbefestigung
Packungshöhe 2.41 (maximal)
Packungsbreite 6.22 (maximal)
Packungslänge 6.73 (maximal)
PCB geändert 2
Tab Tab
Standardpaketbezeichnung TO-252
Lieferantenpaket DPAK
Anzahl der Nadeln 3
Form von Blei Gullflügel
Stichworte：

Integrierte Schaltung XILINX IC

CHIP IC-integrierter Schaltung

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